化学气相沉积与物理气相沉积区别
气相沉积是制备材料常见的方法，是一种利用气相中发生的物理、化学变化，在物件表面形成具有特殊性能 (例如超硬耐磨层或具有特殊的光学、电学性能)的金属或化合物涂层的技术。两种沉积技术最主要的区别在于是否发生化学反应。
化学气相沉积（Chemical vapor Deposition, CVD）技术中，沉积原料并不是基片上沉积的物质， 必须通过化学反应再在基片上沉积。 而物理 气相沉积（Physical vapor Deposition, PVD），并不需要发生化学反应，其只是 通过各种方法（如加热蒸发，溅射等等），将源材料气化，然后沉积于基片表面成膜， 沉积前后的物质都是一样的。
（图片来源于：优适科技）
